2N3055 transistor monteret på en aluminumbaseret køleplade. En glimmer isolator isolerer elektrisk mellem transistorens hus og køleplade.

En (formentlig ældre) 2N3055 med fjernet top, så 2N3055-chippen kan ses.

En 2N3055 med fjernet top, så 2N3055-chippen kan ses og denes påsvejsede bonding wires.

2N3055-familien omfatter bipolare transistorer, som er baseret på mikrochips, der deler egenskaber. Ifølge JEDEC JESD370B fra 1982 hedder den husuafhængige 2N3055-families mikrochip 2C3055. 2N3055-familien er bipolare transistor baseret på silicium og er af polariteten NPN.

En yderst kendt repræsentant er transistoren med 2N3055-produktkoden. 2N3055 blev introduceret i starten af 1960'erne af RCA og som anvendte en hometaxial effekttransistor proces. I midten af 1970'erne gik man over til en epitaxial base. ^[1] 2N3055 produktkode følger JEDEC JESD370B-standarden. ^[2] 2N3055 er en transistorrepræsentant, som stadig (2012) er populær, grundet god pris i forhold til ydelse. ^{[3] [4] [5]}

Historie [redigér]

2N3055 transistorer har mange anvendelser i effekt kredsløb, inklusiv vekselrettere og spændingsregulatorer.

2N3055 var designet til middelstrømme og højeffekt kredsløb. Kommercielt blev 2N3055 anvendt i mange linære strømforsyninger, effektforstærkere og lavfrekvens vekselrettere. 2N3055 blev også lavet af mange andre producenter; Texas Instruments lister en mesa version i august 1967 databladet. ^[6]

Adskillige versioner af 2N3055 er stadig i produktion; den anvendes i audio effektforstærkere som kan yde op til 40W i 8 ohms belasninger^[7] i en push–pull-konfiguration (med 2N2955).

F.eks. anvendes 2N3055 og dens komplementære 2N2955 i den prisgunstige og legendariske NAD 3020. ^{[8] [9]}

Specifikationer [redigér]

De eksakte ydelseskarakteristikker afhænger af producenten. 2N3055 har et TO-3 lignende hus,^[10] men andre i 2N3055-familien kan have andre huse.

Det skal bemærkes at 2N3055A udgaven har en højere secondary breakdown-grænseknæ på Vce=60V,^[11] hvilket er højere end den normale 2N3055, som har secondary breakdown-grænseknæ på Vce=40V.^[12] Secondary breakdown-kurven falder hurtigere end den termiske effektgrænse. Grunden er, at der er termiske hot-spots i basis-emitter-regionen.

I forhold til at 2N3055-transistorchippen blev designet i 1960'erne, havde den en fremragende secondary breakdown-grænseknæ – og en ganske god secondary breakdown-grænseknæ sammenlignet med mange af eftertidens effekttransistorer.

I dag findes der væsentligt bedre bipolare transistorer, som har en væsentlig højere (og højere Vce(max)) eller slet ingen secondary breakdown-grænseknæ (f.eks. ring-emitter transistorer^[13]), men deres pris er væsentlig højere end 2N3055, hvilket er hovedårsagen til at 2N3055 stadig er populær.

Tabel over 2N3055-lignende transistorer med 2C3055 mikrochip [redigér]

Tabel over MOSFETs, som ligger i slipstrømmen af 2N3055-succesen [redigér]

Tabel over effekt MOSFET-transistorer, som har en lignende strømgrænse og spændingsgrænse (60V) som 2N3055-familien – og med 3055 som produktkode tal. Det skal bemærkes, at effekt MOSFET-transistorer:

• ikke har en "secondary breakdown"-grænse, da resistiviteten i source-drain-kanalen stiger med temperaturen.
• er langt hurtigere end 2N3055-familien.
• 2N3055 har en Vce(sat)(max)=3V ved 10A ved Ib=3,3A, hvor den "ringeste" specificerede effekt MOSFET fra tabellen (MTP3055VL) har en Rds(on)(max)=0,18 ohm og ved 10A svarer det til 1,8V. Da effekt MOSFET kun skal have gate-strøm ved spændingsændringer er Igate=0A – inkl. ved Ids=10A.
• ikke uden videre kan erstatte en 2N3055, da der skal ændres i kredsløbsdesignet for at disse effekt MOSFET kan anvendes.

Kilder/referencer [redigér]

Eksterne henvisninger [redigér]

Wikimedia Commons har medier relateret til: 2N3055

• youtube.com: Make Solar Cell Transistor Powered Calculator using 2n3055